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HSEM-06PS室溫變場(chǎng)探針臺(tái)霍爾測(cè)試系統(tǒng)可以為精密微小（納米級(jí)）的微電子器件提供一個(gè)可變磁場(chǎng)的測(cè)試環(huán)境。系統(tǒng)通過顯微鏡將被測(cè)樣品放大，用高精度微探針進(jìn)行扎針，外部連接霍爾測(cè)量儀可進(jìn)行霍爾測(cè)試和分析。 
HSEM-06PS室溫變場(chǎng)探針臺(tái)霍爾測(cè)試系統(tǒng)為最大4英寸待測(cè)樣品、器件提供了一個(gè)垂直可變磁場(chǎng)環(huán)境。外部連接其他電測(cè)儀表可在室溫下對(duì)芯片、晶圓和器件進(jìn)行非破壞電學(xué)測(cè)試，比如不同磁場(chǎng)下電流、電壓、電阻等電學(xué)信號(hào)等。

系統(tǒng)特點(diǎn)：

? 樣品座可以放置最大4英寸的晶圓樣品，采用多孔分區(qū)控制氣體吸附固定。（可定制其他尺寸） 
? 能提供可變的磁場(chǎng)環(huán)境，磁場(chǎng)大小±0.6T 
? 最多可安裝6個(gè)探針臂 
? 探針臂采用磁鐵吸附，可任意移動(dòng)，并且可以三維微調(diào)操作方便，扎針精準(zhǔn)，四個(gè)探針臂的探針可以扎到樣品的任意位置。 
? 探針臂采用三同軸線纜和三同軸接頭，漏電流小，在100fA以內(nèi) 
? CCD最大放大倍數(shù)為180倍，最大工作距離為100mm

測(cè)試材料：

? 熱電材料：碲化鉍、碲化鉛、硅鍺合金等
? 光伏材料/太陽能電池：（A硅（單晶硅、非晶硅）、CIGS（銅銦鎵硒）、碲化鎘、鈣鈦礦等）
? 有機(jī)材料：（OFET、OLED）
? 透明導(dǎo)電金屬氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnO、IGZO（銦鎵鋅氧化物）等）
? 半導(dǎo)體材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
? 二維材料：石墨烯、BN、MoS2等

參數(shù)和指標(biāo)：

標(biāo)準(zhǔn)電阻范圍	10mΩ-100GΩ
遷移率	10-2-106cm2/VS
載流子濃度	8x102-8x1023/cm3
霍爾電壓	分辨率為 1μV
電壓激勵(lì)范圍	100nV ~ 10V
電流激勵(lì)范圍	10pA ~ 100mA
測(cè)試方法	范德堡或霍爾巴
樣品尺寸	50mm或100mm
樣品接觸方式	三維精細(xì)位移探針臂扎針，最小滿足 3μm電極扎針
樣品溫度	室溫
樣品環(huán)境	大氣，可選氮?dú)夥諊?br />
磁場(chǎng)	±0.6T
磁場(chǎng)調(diào)節(jié)方式	自動(dòng)
磁鐵間隙	30mm
磁場(chǎng)均勻區(qū)	10mm*10mm*10mm優(yōu)于5%

• 集成電路
• 芯片
• 晶圓片