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HSPM-05VT變溫霍爾測試系統(tǒng)由霍爾測試儀、液氮存儲式恒溫器以及永磁鐵運動機構(gòu)組成，可以給樣品提供一個85K到500K的連續(xù)變溫、0.5T垂直磁場測試環(huán)境，可以測試變溫下的霍爾參數(shù)，為既需要低溫又需要高溫的科學實驗提供了極大的便利。這是一款性價比極高，也是使用用戶較多的霍爾測試系統(tǒng)，可以實現(xiàn)較大范圍的溫度測試，也可配其它電表，作為一個純粹的溫度環(huán)境和磁環(huán)境用于其它測試。

系統(tǒng)特點：
? 雙層樣品座設(shè)計，底部為光學樣品座，通過增加四探針加四接線柱樣品座蓋板實現(xiàn)探針樣品座功能。接線柱支持
增加探針，改造為六探針樣品座，能同時滿足霍爾巴樣品和范德堡樣品的測試。
? 裝有調(diào)節(jié)支架，可調(diào)整恒溫器豎直方向的位置。
? 磁鐵移動裝置可使永磁鐵前后移動和翻轉(zhuǎn)。
? 可快速打開樣品室，更換樣品。
? 液氮可以通過頂端的液氮補充口方便的灌裝，補充液氮不會影響系統(tǒng)的控溫。
? 恒溫器帶有液氮流量調(diào)節(jié)桿，可以用來調(diào)節(jié)恒溫器的冷量。
? 與低溫同軸電纜和三同軸/SMA接頭配合使用，漏電流小于1pA@1V。
? 內(nèi)置加熱器和傳感器與外部的控溫儀配合實現(xiàn)低溫恒溫器的變溫和控溫。

測試材料：
? 熱電材料：碲化鉍、碲化鉛、硅鍺合金等
? 光伏材料/太陽能電池：（A硅（單晶硅、非晶硅）
CIGS（銅銦鎵硒）、碲化鎘、鈣鈦礦等）
? 有機材料：（OFET、OLED）
? 透明導電金屬氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnO
IGZO（銦鎵鋅氧化物）等）
? 半導體材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、
SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
? 二維材料：石墨烯、BN、MoS2等

參數(shù)和指標：

• 集成電路
• 芯片
• 晶圓片