產(chǎn)品簡介
HSPM-05PS室溫探針霍爾測試系統(tǒng)為最大8英寸待測樣品、器件提供了一個垂直磁場環(huán)境。采用多孔分區(qū)控制氣體吸附固定，能自動控制永磁鐵的前后運動和N.S極翻轉(zhuǎn)，并且能精準定位，磁場大小0.5T 。
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室溫探針臺霍爾測試系統(tǒng)HSPM-05PS
產(chǎn)品概述
HSPM-05PS室溫探針臺霍爾測試系統(tǒng)可以為精密微?。{米級）的微電子器件提供一個固定磁場的測試環(huán)境，通過顯微鏡將被測樣品放大，用高精度微探針進行扎針，外部連接霍爾測量儀可進行霍爾測試和分析。
HSPM-05PS室溫探針霍爾測試系統(tǒng)為最大8英寸待測樣品、器件提供了一個垂直磁場環(huán)境。外部連接其他電測儀表可在室溫下對芯片、晶圓和器件進行非破壞電學測試，比如不同磁場下電流、電壓、電阻等電學信號等。
系統(tǒng)特點：
?穩(wěn)定的雙位移調(diào)節(jié)系統(tǒng)，可以調(diào)節(jié)樣品座和探針臂的位移
?樣品座可以放置最大8英寸的晶圓樣品，采用多孔分區(qū)控制氣體吸附固定。
?能自動控制永磁鐵的前后運動和N.S極翻轉(zhuǎn)，并且能精準定位，磁場大小0.5T
?最多可安裝6個探針臂
?探針臂采用磁鐵吸附，可任意移動，并且可以三維微調(diào)操作方便，扎針精準，四個探針臂的探針可以扎到樣品的任意位置。
?探針臂采用三同軸線纜和三同軸接頭，漏電流小，在100fA以內(nèi)
?CCD最大放大倍數(shù)為180倍，最大工作距離為100mm
測試材料：
? 熱電材料：碲化鉍、碲化鉛、硅鍺合金等
? 光伏材料/太陽能電池：（A硅（單晶硅、非晶硅）、CIGS（銅銦鎵硒）、碲化鎘、鈣鈦礦等）
? 有機材料：（OFET、OLED）
? 透明導電金屬氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnO、IGZO（銦鎵鋅氧化物）等）
? 半導體材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
? 二維材料：石墨烯、BN、MoS2等
技術(shù)參數(shù)
參數(shù)和指標：
| 標準電阻范圍 | 10mΩ-100GΩ |
| 遷移率 | 10-2-106cm2/VS |
| 載流子濃度 | 8x102-8x1023/cm3 |
| 霍爾電壓 | 分辨率為 1μV |
| 電壓激勵范圍 | 100nV ~ 10V |
| 電流激勵范圍 | 10pA ~ 100mA |
| 測試方法 | 范德堡或霍爾巴 |
| 樣品尺寸 | 200mm |
| 樣品接觸方式 | 三維精細位移探針臂扎針，最小滿足 3μm電極扎針 |
| 樣品溫度 | 室溫 |
| 樣品環(huán)境 | 大氣，可選氮氣氛圍 |
| 磁場 | 0.5T |
| 磁場調(diào)節(jié)方式 | 電動位移及翻轉(zhuǎn) |
| 磁鐵間隙 | 30mm |
| 磁場均勻區(qū) | 10mm*10mm*10mm優(yōu)于5% |
應(yīng)用領(lǐng)域
-
集成電路 -
芯片 -
晶圓片
